TSMC совместно с Национальным университетом Ян Мин Чао Тун (NYCU) представила новую технологию, которая может стать важным шагом на пути к созданию чипов следующего поколения.Читать дальше →
Тайваньские учёные в сотрудничестве с инженерами TSMC разработали новый способ изготовления транзисторов на основе одноатомного слоя дисульфида молибдена (MoS₂), который позволяет существенно повысить эффективность управления током и приблизить двумерную электронику к производству микросхем. Проблемой были даже не материалы, а методы их соединения, когда атомы сближаются так тесно, что начинают резко влиять друг на друга. Источник изображения: National Yang Ming Chiao Tung University
TSMC совместно с Национальным университетом Ян Мин Чао Тун (NYCU) в Тайбэе совершила важный прорыв в разработке транзисторов следующего поколения. Исследователи показали, что вместо нанесения новых материалов на канал эффективнее модифицировать сам материал канала. Такой…
